Samsung начинает серийный выпуск чипов памяти LPDDR5 DRAM плотностью 16 Гбит

Samsung начинает серийный выпуск чипов памяти LPDDR5 DRAM плотностью 16 Гбит

Компания Samsung Electronics объявила, что на ее второй производственной линии в Пхёнтхэке, Корея, началось массовое производство первых в отрасли 16-гигабитных чипов мобильной памяти DRAM LPDDR5. Это первая в отрасли оперативная память LPDDR5 DRAM, изготовленная по технологии третьего поколения 10-нанометрового класса (1z). В ее производстве используется EUV-литография.

Поддерживая скорость 6400 Мбит/с, новая память LPDDR5 примерно на 16% быстрее, чем 12-гигабитные микросхемы LPDDR5-5500, которые используются в большинстве современных флагманских мобильных устройств.

Микросхема объемом 16 ГБ, состоящая из восьми чипов в одном корпусе, характеризуется пропускной способностью 51,2 ГБ/с. Производитель отмечает, что использование первого коммерческого техпроцесса 1z позволило сделать микросхему на 30% тоньше по сравнению с предшественницей. Кристаллов, изготовленных по нормам 1y, для получения такого же объема 16 ГБ необходимо 12 штук — восемь по 12 Гбит и четыре по 8 Гбит.

Компания Samsung уже поставляет микросхемы LPDDR5 объемом 16 ГБ, изготовленные по нормам 1z, ведущим производителям смартфонов для использования во флагманских моделях. В перспективе южнокорейский электронный гигант планирует расширить предложение LPDDR5, охватив автомобильный рынок за счет выпуска микросхем, рассчитанных на расширенный температурный диапазон и более строгие требования надежности.

Интересное

Оставьте комментарий

20 + двенадцать =